Epitaxial (EPI) Silicon Wafer Featured Image

Epitaksial (EPI) Silisium Wafer

Beskrivelse

Epitaksial silisiumskiveeller EPI Silicon Wafer, er en wafer av halvledende krystalllag avsatt på den polerte krystalloverflaten av et silisiumsubstrat ved epitaksial vekst.Det epitaksiale laget kan være det samme materialet som substratet ved homogen epitaksial vekst, eller et eksotisk lag med spesifikk ønskelig kvalitet ved heterogen epitaksial vekst, som tar i bruk epitaksial vekstteknologi, inkludert kjemisk dampavsetning CVD, væskefase-epitaksi LPE, så vel som molekylstråle epitaxy MBE for å oppnå høyeste kvalitet med lav defekttetthet og god overflateruhet.Silisium epitaksiale wafere brukes først og fremst i produksjonen av avanserte halvlederenheter, høyt integrerte halvlederelementer ICer, diskrete og kraftenheter, også brukt for diodeelementer og transistorer eller substrater for IC som bipolar type, MOS og BiCMOS-enheter.Videre brukes flere lag epitaksiale og tykkfilm EPI silisiumskiver ofte i mikroelektronikk, fotonikk og fotovoltaikkapplikasjoner.

Leveranse

Epitaxial Silicon Wafers eller EPI Silicon Wafer hos Western Minmetals (SC) Corporation kan tilbys i størrelsene 4, 5 og 6 tommer (100 mm, 125 mm, 150 mm diameter), med orientering <100>, <111>, epilagresistivitet på <1 ohm -cm eller opptil 150ohm-cm, og epilagtykkelse på <1um eller opptil 150um, for å tilfredsstille de ulike kravene til overflatefinish av etset eller LTO-behandling, pakket i kassett med kartong på utsiden, eller som tilpasset spesifikasjon til den perfekte løsningen .

Forespørsel nå

Detaljer

Tagger

Teknisk spesifikasjon

Epi Silicon Wafer

Epitaksiale silisiumskivereller EPI Silicon Wafer hos Western Minmetals (SC) Corporation kan tilbys i størrelsene 4, 5 og 6 tommer (100 mm, 125 mm, 150 mm diameter), med orientering <100>, <111>, epilagresistivitet på <1ohm-cm eller opptil 150 ohm-cm, og epilagstykkelse på <1um eller opptil 150um, for å tilfredsstille de ulike kravene til overflatefinish av etset eller LTO-behandling, pakket i kassett med kartong på utsiden, eller som tilpasset spesifikasjon til den perfekte løsningen.

Symbol	Si
Atomnummer	14
Atomvekt	28.09
Elementkategori	Metalloid
Gruppe, periode, blokk	14, 3, s
Krystallstruktur	Diamant
Farge	Mørkegrå
Smeltepunkt	1414°C, 1687,15 K
Kokepunkt	3265°C, 3538,15 K
Tetthet ved 300K	2,329 g/cm³
Indre resistivitet	3,2E5 Ω-cm
CAS-nummer	7440-21-3
EC-nummer	231-130-8

Nei.	Varer	Standard spesifikasjon
1	Generelle kjennetegn
1-1	Størrelse	4"	5"	6"
1-2	Diameter mm	100±0,5	125±0,5	150±0,5
1-3	Orientering	<100>, <111>	<100>, <111>	<100>, <111>
2	Epitaksiale lagkarakteristikk
2-1	Vekstmetode	CVD	CVD	CVD
2-2	Konduktivitetstype	P eller P+, N/ eller N+	P eller P+, N/ eller N+	P eller P+, N/ eller N+
2-3	Tykkelse μm	2,5-120	2,5-120	2,5-120
2-4	Tykkelse Ensartethet	≤3 %	≤3 %	≤3 %
2-5	Resistivitet Ω-cm	0,1-50	0,1-50	0,1-50
2-6	Resistivitet Ensartethet	≤3 %	≤5 %	-
2-7	Dislokasjon cm-2	<10	<10	<10
2-8	Overflatekvalitet	Ingen spon, dis eller appelsinskall, etc.
3	Håndtere substrategenskaper
3-1	Vekstmetode	CZ	CZ	CZ
3-2	Konduktivitetstype	P/N	P/N	P/N
3-3	Tykkelse μm	525-675	525-675	525-675
3-4	Tykkelse Ensartethet maks	3%	3%	3%
3-5	Resistivitet Ω-cm	Som kreves	Som kreves	Som kreves
3-6	Resistivitet Ensartethet	5%	5%	5%
3-7	TTV μm maks	10	10	10
3-8	Bue μm maks	30	30	30
3-9	Varp μm maks	30	30	30
3-10	EPD cm-2 maks	100	100	100
3-11	Kantprofil	Avrundet	Avrundet	Avrundet
3-12	Overflatekvalitet	Ingen spon, dis eller appelsinskall, etc.
3-13	Bakside Finish	Etset eller LTO (5000±500Å)
4	Pakking	Kassett innvendig, kartong utvendig.

Silisium epitaksiale waferebrukes primært i produksjon av avanserte halvlederenheter, høyt integrerte halvlederelementer IC-er, diskrete og kraftenheter, også brukt for diode- og transistorelementer eller substrater for IC som bipolar type, MOS og BiCMOS-enheter.Videre brukes flere lag epitaksiale og tykkfilm EPI silisiumskiver ofte i mikroelektronikk, fotonikk og fotovoltaikkapplikasjoner.