Gallium Arsenide GaAs

Beskrivelse

Gallium ArsenidGaAs er en direkte båndgap sammensatt halvleder av gruppe III-V syntetisert av minst 6N 7N høyrent gallium- og arsenelement, og dyrket krystall ved VGF- eller LEC-prosess fra polykrystallinsk galliumarsenid med høy renhet, gråfarget utseende, kubiske krystaller med sink-blandingsstruktur.Med doping av karbon, silisium, tellur eller sink for å få henholdsvis n-type eller p-type og halvisolerende ledningsevne, kan en sylindrisk InAs-krystall skjæres i skiver og fremstilles til emne og wafer i som kuttet, etset, polert eller episk. -klar for MBE eller MOCVD epitaksial vekst.Gallium Arsenide wafer brukes hovedsakelig til å fremstille elektroniske enheter som infrarøde lysdioder, laserdioder, optiske vinduer, felteffekttransistorer FET-er, lineære digitale IC-er og solceller.GaAs-komponenter er nyttige i ultrahøye radiofrekvenser og raske elektroniske svitsjapplikasjoner, svake signalforsterkningsapplikasjoner.Videre er Gallium Arsenide-substrat et ideelt materiale for produksjon av RF-komponenter, mikrobølgefrekvens og monolittiske IC-er, og LED-enheter i optiske kommunikasjons- og kontrollsystemer for sin mettende hallmobilitet, høye effekt- og temperaturstabilitet.

Leveranse

Gallium Arsenide GaAs fra Western Minmetals (SC) Corporation kan leveres som polykrystallinsk klump eller enkeltkrystall wafer i som kuttet, etset, polert eller epi-klare wafere i en størrelse på 2" 3" 4" og 6" (50 mm, 75 mm, 100 mm, 150 mm) diameter, med p-type, n-type eller halvisolerende ledningsevne, og <111> eller <100> orientering.Den tilpassede spesifikasjonen er for den perfekte løsningen til våre kunder over hele verden.