Indium Arsenide InAs

Beskrivelse

Indiumarsenid InAs-krystall er en sammensatt halvleder av gruppe III-V syntetisert av minst 6N 7N rent indium- og arsen-element og dyrket enkeltkrystall ved VGF- eller Liquid Encapsulated Czochralski (LEC) prosess, grå fargeutseende, kubiske krystaller med sink-blanding , smeltepunkt på 942 °C.Indiumarsenidbåndgap er en direkte overgang identisk med galliumarsenid, og den forbudte båndbredden er 0,45eV (300K).InAs-krystall har høy ensartethet av elektriske parametere, konstant gitter, høy elektronmobilitet og lav defekttetthet.En sylindrisk InAs-krystall dyrket av VGF eller LEC kan skjæres i skiver og fremstilles til wafer som kuttet, etset, polert eller epi-klar for MBE eller MOCVD epitaksial vekst.

applikasjoner

Indium arsenid krystall wafer er et flott substrat for å lage Hall-enheter og magnetfeltsensor for sin suverene hallmobilitet men smale energibåndgap, et ideelt materiale for konstruksjon av infrarøde detektorer med bølgelengdeområdet 1–3,8 µm brukt i applikasjoner med høyere effekt ved romtemperatur, så vel som infrarøde supergitterlasere med middels bølgelengde, fabrikasjon av mellominfrarøde LED-enheter for sitt 2-14 μm bølgelengdeområde.Videre er InAs et ideelt substrat for ytterligere å støtte de heterogene InGaAs, InAsSb, InAsPSb & InNAsSb eller AlGaSb supergitterstrukturen etc.

Forespørsel nå

Detaljer

Tagger

Teknisk spesifikasjon

Indium Arsenid

InAs

Indium arsenid krystall waferer et flott substrat for å lage Hall-enheter og magnetfeltsensor for sin suverene hallmobilitet, men smale energibåndgap, et ideelt materiale for konstruksjon av infrarøde detektorer med bølgelengdeområdet 1–3,8 µm brukt i applikasjoner med høyere effekt ved romtemperatur, så vel som infrarøde supergitterlasere med middels bølgelengde, fabrikasjon av mid-infrarøde LED-enheter for sitt 2-14 μm bølgelengdeområde.Videre er InAs et ideelt substrat for ytterligere å støtte de heterogene InGaAs, InAsSb, InAsPSb & InNAsSb eller AlGaSb supergitterstrukturen etc.

Nei.	Varer	Standard spesifikasjon
1	Størrelse	2"	3"	4"
2	Diameter mm	50,5±0,5	76,2±0,5	100±0,5
3	Vekstmetode	LEC	LEC	LEC
4	Konduktivitet	P-type/Zn-dopet, N-type/S-dopet, Udopet
5	Orientering	(100)±0,5°, (111)±0,5°
6	Tykkelse μm	500±25	600±25	800±25
7	Orientering Flat mm	16±2	22±2	32±2
8	Identifikasjon Flat mm	8±1	11±1	18±1
9	Mobilitet cm2/Vs	60-300, ≥2000 eller etter behov
10	Carrier Konsentrasjon cm-3	(3-80)E17 eller ≤5E16
11	TTV μm maks	10	10	10
12	Bue μm maks	10	10	10
13	Varp μm maks	15	15	15
14	Dislokasjon Tetthet cm-2 maks	1000	2000	5000
15	Overflatefinish	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Pakking	Enkel oblatbeholder forseglet i aluminiumspose.

Lineær formel	InAs
Molekylær vekt	189,74
Krystallstruktur	Sink blanding
Utseende	Grått krystallinsk fast stoff
Smeltepunkt	(936-942)°C
Kokepunkt	N/A
Tetthet ved 300K	5,67 g/cm³
Energigap	0,354 eV
Indre resistivitet	0,16 Ω-cm
CAS-nummer	1303-11-3
EC-nummer	215-115-3

Indium Arsenide InAshos Western Minmetals (SC) Corporation kan leveres som polykrystallinsk klump eller enkeltkrystall som kuttet, etset, polert eller epi-klare wafere i en størrelse på 2" 3" og 4" (50 mm, 75 mm, 100 mm) diameter, og p-type, n-type eller udopet ledningsevne og <111> eller <100> orientering.Den tilpassede spesifikasjonen er for den perfekte løsningen til våre kunder over hele verden.